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本发明涉及一种放射自显影系统及其探测器和成像方法，所述探测器包括自下而上依次设置的晶体、光导以及光电转换器，所述晶体采用镓酸铝钆晶体，所述光电转换器采用SiPM阵列，本发明通过采用镓酸铝钆晶体耦合SiPM阵列，结合PET中成熟的电子学系统，利用CFD、数字化甄别方法甄别α粒子和β粒子脉冲衰变时间的数量级差异，能够使得放射自显影系统的发明位置分辨率逼近或达到闪烁晶体耦合光电转换器类型探测器的物理极限，以此本发明提供了一种具有高灵敏度和高分辨率的，可以进行能量测量、光子计数、实时显示以及脉冲形状甄别，且探测器不需要制冷的，适合于α粒子，β粒子和低能γ探测成像的探测器和放射自显影系统。

1.一种探测器，其特征在于，包括自下而上依次设置的晶体、光导以及光电转换器，所述晶体采用镓酸铝钆晶体，所述光电转换器采用硅光电倍增管阵列，其中所述晶体用于与放射性射线作用而产生荧光，所述光导用于将所述荧光导向至所述光电转换器，所述光电转换器用于将所述荧光转换为电信号，并采用信号读出电路将所述电信号传输至电子学系统。 2.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述晶体为连续晶体或分割晶体阵列，所述连续晶体和所述分割晶体阵列的厚度为1～5mm，所述分割晶体阵列的单个晶体的宽度为***～***。 3.根据权利要求2所述的探测器，其特征在于，所述晶体的厚度为1mm，所述硅光电倍增管阵列由多个面积为(1～3)×(1～3)mm2的硅光电倍增管组成，所述硅光电倍增管阵列的厚度为1mm。

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