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物理

本发明涉及基于人工结构的微米级声场生成装置及其制备方法，所述基于人工结构的微米级声场生成装置包括声表面波芯片和耦合于所述声表面波芯片的至少一人工结构，所述声表面波芯片用于产生表面波声场，所述人工结构用于对所述声表面波芯片产生的表面波声场进行调控，使得所述表面波声场范围小于声波波长，从而形成微米级声场，本发明结合所述声表面波芯片和所述人工结构制备形成基于人工结构的微米级声场生成装置，产生单个神经元尺度的表面波声场，实现单个神经元的调控，并结合电生理手段对单个神经元放电进行记录，从而对超声神经调控的机制进行研究。

1.基于人工结构的微米级声场生成装置，其特征在于，所述基于人工结构的微米级声场生成装置包括声表面波芯片和耦合于所述声表面波芯片的至少一人工结构，所述声表面波芯片用于产生表面波声场，所述人工结构用于对所述声表面波芯片产生的表面波声场进行调控，使得所述表面波声场范围小于声波波长，从而形成微米级声场。 2.根据权利要求1所述的基于人工结构的微米级声场生成装置，其特征在于，所述声表面波芯片包括压电基底和镀于所述压电基底之上的叉指电极，所述人工结构耦合在所述声表面波芯片的设置有所述叉指电极的一面，所述压电基底为128°YX双面抛光铌酸锂、Y36切向铌酸锂、X切向铌酸锂、锗酸秘、钽酸锂、砷化镓、氧化锌、氮化铝中的任一种。 3.根据权利要求2所述的基于人工结构的微米级声场生成装置，其特征在于，所述人工结构包括填充型人工结构，所述填充型人工结构包括结构基底和填充于所述结构基底的填充孔的填充物质，所述填充物质为镓、锌、铜、镍、铅中的一种或多种。

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