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物理

本申请涉及铁电薄膜技术制备领域，具体公开了一种氧化铪基铁电薄膜、制备方法及应用。氧化铪基铁电薄膜的制备方法为：衬底预处理：采用有机溶剂对衬底进行清洗；底电极的沉积：采用物理气相沉积方式在衬底上沉积底电极；HZO薄膜沉积：采用脉冲激光沉积方式在底电极上沉积HZO薄膜；覆盖层沉积：采用脉冲激光沉积方式在HZO薄膜上沉积覆盖层；退火：在400‑800℃高温中通入20‑80mTorr氧气，保持3‑30min后使薄膜样品冷却至室温；顶电极沉积：采用物理气相沉积方式在覆盖层上沉积顶电极，形成氧化铪基铁电薄膜。本申请的氧化铪基铁电薄膜可用于制作负电容场效应晶体管，其具有铁电性性能优异的特点。

一种氧化铪基铁电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：衬底预处理：采用有机溶剂对衬底进行清洗； 底电极的沉积：采用物理气相沉积方式在衬底上沉积底电极； HZO薄膜沉积：采用脉冲激光沉积方式在底电极上沉积HZO薄膜，设置沉积温度为400-550℃，激发光数为2000-6500发，使得形成的HZO薄膜厚度为4-20nm； 覆盖层沉积：采用脉冲激光沉积方式在HZO薄膜上沉积覆盖层，设置沉积温度为400-500℃，激发光数设置为6000-20000发，使得形成的覆盖层厚度为8-30nm，沉积后形成薄膜样品； 退火：在400-800℃高温中通入20-80mTorr氧气，保持3-30min后使薄膜样品冷却至室温； 顶电极沉积：采用物理气相沉积方式在覆盖层上沉积顶电极，形成氧化铪基铁电薄膜。

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