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一种具有 GaN/纳米空腔的蓝光发光二极管的制备方法

发布时间: 2023-11-01

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式： 技术许可
成果类型： 发明专利
行业领域：
电子信息技术,软件
成果介绍
氮化镓（GaN）基半导体材料与器件是“十四五”规划和 2035 年远景目标纲要及中国制造 2025 等提出的重要任务，对于支撑“2035 年远景目标”、“中国制造 2025”、“互联网+”等国家重大战略目标，抢占全球技术和产业制高点，赢得我国弯道超车的历史性发展机遇，具有重大而深远的意义。氮化镓（GaN）基材料在半导体照明、高端光电子与微电子器件等领域获得越来越广泛的应用，在国家的基础研究、前沿技术研发、重大共性关键技术突破等全创新链中发挥着越来越重要的作用，它是节能环保、智能制造、新一代信息技术、
成果亮点
目前市场上的主流氮化镓（GaN）基蓝光发光二极管（LED）生长在蓝宝石衬底上，受制于蓝宝石和 GaN 材料的晶格系数和热膨胀系数高的失配度，导致 GaN 基薄膜具有大的应力和高的缺陷密度，使 GaN 基 LED薄膜的晶体质量差以及发光效率低。本项目首次采用有机金属化学气相沉积（MOCVD）、电化学刻蚀、退火和再生长技术来有效释放应力，降低缺陷密度，从而制备了片尺寸的、具有 GaN/纳米空腔的蓝光 LED，其具有晶体质量高、发光效率显著提高（提高 6 倍以上）以及使用寿命长（提高 2 倍以上）等优点。
团队介绍
宁波市智能制造产业研究院是受浙江省省委省政府委托，由宁波市政府与智能制造领域专家团队共同筹建的具有集团性质的机器人及智能制造企业集群。宁研院总投资3亿元，致力于搭建技术研究与成果产业化的桥梁，以打造“浙江制造”为核心目标，积极创造机器人名牌产品，业务覆盖智能制造核心部件、机器人本体、产业应用等多个领域，通过3-5年时间成为宁波市智能经济发展的核心支撑平台。
成果资料