成果介绍
华业利镣半导体科技 (上海)有限公司于2021年创立华业利家技术团队,致力于第三代半导体材料与器件技术,志在消除刺强技术封锁,目标在做到能够以自主设计、自主专利及技术、迈入我国半导体器件自给自足,自立自强的境地。 华业利镓将持续研发最新的氮化稼3D立体外延技术,并依托立体外延的研发成果,开展功率/射频/光电等器件的研发、技术授权及生产
成果亮点
专注3-D GaN外延与HEMT开发。开发期计16个月,预计2025年2用完成技术的托底研发,工艺达 到可商业化水平: 2023年12月完成: 3-D GaN专用图形花村底开发 ***年6月完成: 微纳米柱结构GaN外延成长参数 2024年9月完成: 微纳米柱结构中aN外延的电子富余层参数3. ***年11月完成: 3-D GaN HEMT与MOSFET试制与性能测量 ***年2月: 器件封装工艺开发及产品可靠度确认 。新技术落地后的获利方式: 销售3-D GaN外延片给下游半导体芯片制造厂,如英诺赛科等苦于投片直通率过低的企业。
团队介绍
TO *** zhiren 台湾成功大学电机博士。曾任职台湾清华大学电子所、工研院电子所(资深研究员/顾问),UMC、MXIC等知名半导体大厂技术开发资深经理,主导HKMG/Flash/eFlash/Logie/HV开发。任职Vanguard(VIS)研发总监时主导BCD/eNVM/Discrete/UHV/SOI开发于EmergingNVM开发eRRAM同时关注GaNon SiMOSFET。 COO 廖其德 交大企业管理硕土、清华大学材料工程学士。曾任美Applied Material、台汉威光电、曜富光电、华上光电、大连路美等公司生产、建厂、制造、品控、研发。科技厂经验完整资深。
成果资料
产业化落地方案