科创中国

新材料技术

利用HFCVD法制备的钨（W）氧化物薄膜材料，XRD分析结果表明，WO2和WO3有明显的发展晶态和结晶度随衬底温度的升高而增强。高的衬底温度也导致了低的缺陷数和位错密度以及低微应变值。根据扫描电镜的结果，氧化钨薄膜由均匀紧密排列而成随着衬底温度的升高，晶粒尺寸有所改善的晶体团簇。AFM图像显示沉积薄膜表面的晶粒/团簇尺寸增大，而表面减小随着基材温度的升高，粗糙度增大。拉曼光谱结果显示了五种不同的拉伸O- w -O振动带归属于末端氧原子的W6+=O拉伸模式。用四探针法测得的电阻率结果表明，薄膜的电阻率降低随着基体温度的升高晶粒尺寸增大。这一观察结果与较大的晶界和散射载体导致迁移率降低。研究结果提供了一种简便易行的方法用于光电、光伏和储能器件的钨薄膜的制备。

利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)及磁控溅射技术制备了钨氧化物薄膜材料。研究结果提供了一种简便易行的方法用于光电、光伏和储能器件的钨薄膜的制备。

本项目团队职称结构合理，项目组成员具有扎实的理论基础和勇于创新的科研精神，同时，具有事实求实、拼搏进取的科研作风。