本发明公开了一种基于光热效应的可控量子点阵列制备方法,该方法是以金属或合金纳米颗粒阵列作为模板,通过光源引发的局部表面等离激元热效应控制量子点前驱体的反应条件,从而控制其制备位点,尺寸和成核密度,该方法主要包括基片表面预处理、表面金属薄膜淀积、金属纳米颗粒阵列制备、保护层淀积、量子点生长和基片后清洗处理六个步骤,实现了使用化学合成方法制备大面积、低成本的量子点阵列。本方法可以与半导体加工工艺相结合,其制备的量子点阵列可应用于量子点激光器,单光子光源,太阳能电池,高效发光二极管,存储器等器件的加工制造中。
有鉴于现有技术中对量子点制备位点控制不足的问题,本发明提出了一种基于光热效应的可控量子点阵列制备方法,实现在表面对量子点生长条件的控制,进而对量子点阵列的制备位点和成核位置实现精确控制。本方法适合在半导体,氧化物基片上大规模制备精确控制的量子点阵列。
此技术是青岛大学毛遂研发,青岛大学,位于山东省青岛市。培养高等学历人才,促进科技文化发展。
评价单位:- (-)
评价时间:2023-11-07
综合评价
技术转让,所需资金需双方协商,此项技术想尽快落地保定,希望具备此项技术研发的技术方,能够尽快承接次项目
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