科创中国
一种基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件及其制备方法
发布时间: 2023-10-19
来源: 科技服务团
基本信息
合作方式：
技术转让
成果类型：
发明专利,实用新型专利
行业领域：
生物与新医药技术,医疗仪器技术、设备与医学专用软件
成果介绍
本发明公开了一种基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件，包括Pt/Ti/SiO2/Si衬底、在所述Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜上依次形成的神经仿生层和Ag电极层；所述神经仿生层从下而上依次包括：第一Ga2O3膜层、第一Ag膜层、第二Ga2O3膜层、第二Ag膜层、第三Ga2O3膜层、第三Ag膜层、第四Ga2O3膜层。同时，本发明还公开了该神经仿生器件的制备方法。本发明所制备的器件能根据突触前刺激和突触后刺激的时间差而改变电阻，能够模仿生物突触的特性，其高低阻态发生缓慢变化且范围稳定；出现多个稳定阻态并具有良好的保持特性，在重复施加电脉冲刺激的情况下，电阻能保持高低阻转化较高的重复性，是一种性能更为稳定、应用前景更为广阔的神经仿生器件。
成果亮点
本发明的目的就是提供一种基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件及其制备方法，以解决现有神经仿生器件存在施加电压时存在高低阻态之间转换连续性较差、器件稳定性较差等问题。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：一种基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件，包括Pt/Ti/SiO2/Si衬底、在所述Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜上依次形成的神经仿生层和Ag电极层；所述神经仿生层从下而上依次包括：第一Ga2O3膜层、第一Ag膜层、第二Ga2O3膜层、第二Ag膜层、第三Ga2O3膜层、第三Ag膜层、第四Ga2O3膜层。
团队介绍
闫小兵，男，河北大学教授，博导，先后获得国家高层次人才称号，霍英东青年教师奖等荣誉，博士毕业于南京大学，2014-2016于新加坡国立大学担任Research Fellow职位，现任河北大学电子信息工程学院副院长。研究方向：新型Flash存储器、阻变存储器、忆阻器等新型电子器件集成和用于集成的逻辑控制嵌入式电路设计研究，面向人工神经网络的忆阻器阵列研究。
成果资料
产业化落地方案
成果综合评价报告
评价单位：“科创中国”河北科技服务团 (河北省数字健康工程学会) 评价时间：2023-10-23
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