需求发布 成果发布 科创案例库 揭榜挂帅
技术路演 会议展览 科创联合体 项目申报
前沿动态 科技政策 院士开讲 青托工程
科技服务团 学术资源
试点城市(园区) 双创活动周
协作站点 学会服务
问题库 项目库 开源库
English
您所在的位置: 成果库 第三代半导体碳化硅功率器件及其应用

第三代半导体碳化硅功率器件及其应用

发布时间: 2023-10-17

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式： 股权融资
成果类型： 新技术
行业领域：
电子信息技术,新一代信息技术产业,微电子技术,电子核心产业
成果介绍
公司是一家专业从事碳化硅功率器件设计及销售的国家高新科技企业，现主营的第五代650V和1200V TMPS（Thinned MPS） 碳化硅二极管经过了市场的严格验证，良率高达97%以上，实现了大规模量产。该系列SiC产品以其优于硅基产品的特性，可广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源等多个应用领域。
成果亮点
1、相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体（碳化硅等）禁带宽度大，电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力； 2. 碳化硅更适合作为衬底材料：在高压和高可靠性领域选择碳化硅外延，在高频领域选择氮化镓外延； 3. 碳化硅衬底器件体积小：由于碳化硅具有较高的禁带宽度，碳化硅功率器件可承受较高的电压和功率，其器件体积可变得更小，约为硅基器件的1/10。同样由于碳化硅较高的禁带宽度，碳化硅器件可进行重掺杂，碳化硅器件的电阻将变得更低，约为硅基器件的1/100。 4. 碳化硅衬底材料能量损失小：在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%-60%之间；800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的30%-50%之间。碳化硅器件的能量损失更小。
团队介绍
杨承晋，董事长＆总经理，曾供职于深圳赛格、ROHM、Winbond、Mediatek、国科微等知名企业。2000年作为首创员工，参与创立了联发科中国大陆深圳子公司，历任部门经理、总监、副总经理、联发科大中华区决策委员会委员，2010年参与筹建了联发科汽车电子事业部，历任副总经理、总经理助理，2013年担任创维集团顾问，2014年加入国科微担任副总经理，2015年参与创立了芯片设计企业深圳市森国科科技股份有限公司，担任董事长及总经理至今。27年集成电路产业经历，经历了信息电子多个产业发展周期，在集成电路产业积累了丰富的产业资源和人脉关系，擅长芯片产品规划和运营。
成果资料
产业化落地方案
点击查看
成果综合评价报告

评价单位：- (-) 评价时间：2023-11-30

胡荣杰

广东博士创新发展促进会

战略研究主任

综合评价

本实用新型电路结构简单，使用两个CMOS反相器首尾相连用做锁存器，通过信号控制模块控制输出高电位信号，实现了在CMOS工艺中低压域向高压域的通信功能，降低了使用器件的耐压要求，即使用低压器件就可以实现电路的升压，从而降低了CMOS工艺的成本。
查看更多>
更多