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一种锗硅量子阱电致折射率调制器，其由下往上依次包括：P型硅衬底、P型锗硅合金缓冲层、本征锗硅合金下隔离层、本征锗硅合金耦合量子阱层、本征锗硅合金上隔离层、N型锗硅合金盖层，所述本征锗硅合金耦合量子阱层由多个非对称耦合量子阱组成，单个非对称耦合量子阱由两个不同宽度的量子阱、一个中间薄壁垒、两个侧边壁垒组成，相邻两个非对称耦合量子阱共用一个侧边壁垒区，其特征在于，两个侧边壁垒的锗硅合金组分配比锗含量相同，中间薄壁垒的锗含量必须低于所述两个侧边壁垒的锗含量。

本发明公开了一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件，包括：P型硅衬底、P型锗硅合金缓冲层、本征锗硅合金下隔离层、本征锗硅合金耦合量子阱层、本征锗硅合金上隔离层、N型锗硅合金盖层，本征锗硅合金耦合量子阱层由多个非对称耦合量子阱组成，单个非对称耦合量子阱由两个不同宽度的量子阱、一个中间薄壁垒、两个侧边壁垒组成，相邻两个非对称耦合量子阱共用一个侧边壁垒区，两个侧边壁垒的锗硅合金组分配比相同，中间薄壁垒的Ge含量必须低于所述两个侧边壁垒。中间垒区Ge含量低的非对称耦合量子阱，势垒高度比两侧势垒区高，防止中间垒区两侧的量子阱在无外加电场时发生耦合，在加电场发生耦合时，对两个量子阱的耦合控制效果更好。

华中科技大学（Huazhong University of Science and Technology），简称华中大、华科大 ，位于湖北省武汉市，是中华人民共和国教育部直属的综合性研究型全国重点大学、位列国家“双一流”“985工程”“211工程”、入选“强基计划”“111计划”、卓越工程师教育培养计划、卓越医生教育培养计划、国家大学生创新性实验计划、国家级大学生创新创业训练计划、国家建设高水平大学公派研究生项目、国家级新工科研究与实践项目、基础学科拔尖学生培养计划***，是学位授权自主审核单位、全国深化创新创业教育改革示范高校、一流网络安全学院建设示范项目高校、中国政府奖学金来华留学生接收院校、教育部来华留学示范基地，为中欧工程教育平台成员和医学“双一流”建设联盟 、国际应用科技开发协作网 、全球能源互联网大学联盟成员。

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