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针对现有技术中双相移分布反馈式双波长半导体激光器存在的上述不足，为了能够对激光器的两个激射波长连续地进行调节，本发明提出了一种特殊方法，通过在上述激光器光栅中两个相移所在位置另增加独立引出电极的方法，来调控激光器从三个电极注入电流大小(比例)来控制引入两个相移的大小，进而精细调节激光器两个激射波长的大小和波长间隔，为双相移分布反馈式双波长半导体激光器的设计制造，提出一种新的结构和制作方法。 本发明的技术方案是： 一种可调双波长分布反馈式半导体激光器装置，所述激光器装置由三个反馈区和位于三个反馈区之间的两个相移区组成，沿着整个激光器其光栅结构为普通均匀光栅或均匀取样光栅；三个反馈区的电极用导线连接在一起形成反馈区电极，两个相移区电极各自独立引出，且反馈区电极与两个相移区的电极相电隔离。 作为本发明的进一步改进，沿着整个激光器的光栅结构为带有两个等效相移的均匀取样光栅；在两个相移区中间位置各设置有一个等效相移；通过改变反馈区电极和两个相移区电极的注入电流，调节在两个相移区中间位置的等效相移大小，从而控制激光器激射的两种激光的波长大小和波长间隔大小。 作为本发明的进一步改进，沿着整个激光器的光栅结构为普通均匀光栅；通过改变反馈区电极和两个相移区电极的注入电流，两个相移区中间位置各形成一个大小可以调节的真实相移，从而获得稳定的双波长激射并控制两种激光的波长大小和波长间隔大小。 作为本发明的进一步改进，沿着整个激光器的光栅结构为均匀取样光栅；通过改变反馈区电极和两个相移区电极的注入电流，两个相移区中间位置各形成一个大小可以调节的等效相移，从而来获得稳定的双波长激射并调节两种激光的波长大小和波长间隔大小。 作为本发明的进一步改进，沿着整个激光器的光栅结构为带有两个真实相移的普通均匀光栅；在两个相移区中间位置各设置有一个真实相移；通过改变反馈区电极和两个相移区电极的注入电流，调节在两个相移区中间位置的真实相移大小，从而调节激光器激射的两种激光的波长大小和波长间隔大小。