科创中国

1.一种半导体薄膜结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底为刚性YSZ基片； 底电极层，所述底电极层形成与所述衬底的表面，所述底电极层为ITO薄膜；及 功能层，所述功能层形成于所述底电极层背离所述衬底的表面，所述功能层为具有双边负电容现象的Ga2O3单晶薄膜。 2.如权利要求1所述的半导体薄膜结构，其特征在于，所述刚性YSZ基片的晶面取向为(111)。 3.如权利要求2所述的半导体薄膜结构，其特征在于，所述Ga2O3单晶薄膜为具有明显择优取向的单晶薄膜。 4.如权利要求1所述的半导体薄膜结构，其特征在于，所述底电极层的厚度为20nm～40nm； 且/或，所述功能层的厚度为10nm～40nm。 5.一种半导体薄膜结构的制备方法，其特征在于，包括： 选取特定晶面取向的刚性YSZ基片作为衬底，并进行前处理； 在所述衬底上生长底电极层，所述底电极层为ITO薄膜； 在所述底电极层上生长功能层，所述功能层为具有双边负电容现象的Ga2O3单晶薄膜。

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