成果介绍
本项目源自高功率电子器件应用行业实际技术需求,提供微通道强化散热技术。微通道散热器比表面积大、热输运能力强、易与高功率电子器件实现集成,已成为最具前景的超高热流散热技术。第一代远端冷板散热技术的散热能力小于100W/cm2,第二代穿透式液冷散热技术的散热能力约为200~400W/cm2,本项目提出基于弹性湍流的嵌入式微通道高效散热技术,可以实现热沉冷却能力≥1000W/cm2,散热器表面温度≤70℃,冷却热流密度相比传统液冷冷板等经典技术提升10倍以上。该技术可突破高功率电子器件散热技术瓶颈,带动高频、高集成、高功率电子器件产业链升级,提升国防军工、信息技术和智能制造等相关产业核心竞争力,产生显著的经济和生态效益。
成果亮点
以氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体器件具有高频率、高功率、低损耗以及高抗干扰能力等特点,在军用雷达、激光器、5G射频、光电子以及功率电源等领域具有广阔的应用前景,已成为支撑新一代军工、信息技术和智能制造的“核芯”。2020年中国电力电子和微波射频产值约为70亿元,且每年以超过30%的速度增加,其中,电力电子产业产值达***亿元,GaN微波射频产业产值达***亿元。
团队介绍
西安交通大学创造了30000余项科研成果,其中241项获得国家三大奖,产生了数以千亿计的经济社会效益。学校依托学科与人才培养优势,创新产学研合作模式,与政府、大中型企业联合建立研发中心,注重解决行业关键性技术问题,充分发挥科技对区域经济和社会发展的支撑作用。
成果资料