科创中国
ZnTe 单晶体的制备方法
发布时间: 2023-09-20
来源: 科技服务团
基本信息
合作方式：
作价入股
成果类型：
发明专利
行业领域：
新材料技术
成果介绍
本发明公开了一种ZnTe单晶体的制备方法，用于解决现有方法制备的ZnTe单晶体尺寸小的技术问题。技术方案是首先对石英坩埚进行处理，并在石英坩埚内壁上沉积一层碳膜。将单质Zn和Te装入处理好的石英坩埚中并真空封装。将真空封装好的石英坩埚装入摇摆炉中，使用阶梯升温、摇摆，使融化的单质Zn和Te充分混合，摇摆结束后保温，之后炉冷至室温。对上下炉体升温到预设的目标温度后进行保温，后下降石英坩埚进行晶体选晶生长，晶体生长一段时间后，对上下炉体同时同速率降温，晶体生长结束，降温退火后关闭电源进行炉冷。本发明通过对长晶炉温场、降温速率和石英坩埚下降速率进行控制，在无籽晶条件下制备出了大尺寸ZnTe单晶体。
成果亮点
ZnTe作为一种光学性能优异的II-IV族化合物半导体材料，一直备受关注。一方面，ZnTe晶体是直接带隙材料，室温下的禁带宽度为***,而且还可以通过掺杂改变其带隙宽度，因此在薄膜太阳能电池、半导体发光器件等领域应用的潜力具大。另一方面，ZnTe也是理想的绿光发光材料，可用于研制高亮度、大功率的绿光LED
团队介绍
项目负责人：徐亚东：教授，博士生导师。“凝固技术国家重点实验室”副主任，“辐射探测材料和器件”工信部重点实验室主任。2004年本科毕业于西北工业大学，2006-2007年在英国萨里大学进行博士联合培养学习，2010年在西北工业大学获博士学位，后留校工作。2016-2017年在美国西北大学从事访问学者（博士后）研究。目前，主要从事高能射线探测和太赫兹领域所用半导体晶体材料的制备，器件设计和性能研究。相关研究结果在“实践十号”返回式卫星等重大科技工程中实现了应用。主持省部级以上科研项目20余项。发表高水平SCI论文140余篇，授权国家发明专利15项，美国专利1项，制定国家标准1项。
成果资料
产业化落地方案
成果综合评价报告
评价单位：“科创中国”陕西科技服务团 (陕西省科学技术协会) 评价时间：2023-11-24
评价单位：- (-) 评价时间：2023-10-28
李卫斌
西安电子科技大学
教授
综合评价
该技术创新性很强，且技术成熟，投资回报比较可靠。
总体而言，该项技术思路方向很好，未来市场空间较大，有利于当前政策要求，转化成熟度高，值得支持推广。建议强化相应产品开发，加大产业链开发力度。
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