提出了一种基于SiC MOSFET双向导电特性的子模块器件结温均衡方法。团队借鉴Si子模块器件损耗分析方法,建立了SiC子模块损耗分析模型。在此基础上,根据SiC MOSFET沟道是否双向导电,将SiC MOSFET分为单极工作和双极工作两种模式,并对比了两种模式的器件损耗分布情况。进一步地,引入可自适应调节的阈值参数控制两种模式的自主切换,从而实现器件损耗的均衡。
提出了一种基于SiC MOSFET双向导电特性的子模块器件结温均衡方法。团队借鉴Si子模块器件损耗分析方法,建立了SiC子模块损耗分析模型。在此基础上,根据SiC MOSFET沟道是否双向导电,将SiC MOSFET分为单极工作和双极工作两种模式,并对比了两种模式的器件损耗分布情况。进一步地,引入可自适应调节的阈值参数控制两种模式的自主切换,从而实现器件损耗的均衡。
本项成果由华中科技大学“高压大功率特种电源”团队开发,团队含国家青年拔尖人才1名、国家海外优青人才2名,累计出站博士后1人,培养博士研究生13人,硕士研究生40余人。
评价单位:“科创中国”华中科技大学智能制造专业科技服务团 (华中科技大学)
评价时间:2023-09-14
综合评价
SiC器件在中高压大功器变换器中的大规模应用是大势所趋。基于MMC的柔性直流输配电技术是直流输配电领域的优选方案,也是我国可再生能源大规模开发利用的重要手段,SiC器件的应用符合MMC轻型化、高效率的发展需求,具有广阔的市场前景。
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