科创中国

新材料技术

针对常规离子交换法难以制备出纯度高、粒径均匀的大粒径胶体SiO2磨料的国际技术难题，提出了一种改进的离子交换法，通过低阴离子浓度水玻璃制备技术、硅酸酸化技术和多步离子交换相结合的方法制备高纯硅酸；通过pH值、温度、浓度等多参数调控合成出30-150nm均匀胶体SiO2磨料，并通过表面改性提高其分散性；通过系统创新建成了万吨级高纯SiO2生产线，研发出的产品获得国家重点新产品证书。采用自主研发的高纯二氧化硅为磨料，研发出具有高抛光速率、高抛光表面质量、循环寿命长、易清洗的硅片边抛、粗抛和精抛等系列硅片抛光液，大规模实现进口替代，产品应用300mm硅片的抛光。研制出高效的碳化硅粗抛和精抛抛光液，具有抛光效率高，抛光后碳化硅表面质量好等优点，国产替代率高于50%。研制成功集成电路芯片用绝缘介质二氧化硅抛光液和多晶硅抛光液，产品在芯片厂获得应用。申请了102项的CMP专利，其中已授权79项，2项为美国专利。成果获得上海市技术发明一等奖。

1、 国内最早且规模最大的集成电路磨料生产； 2、 国际上少数磨料和抛光液一体化供应的单位； 3、 电子级二氧化硅纳米磨料具有超高性价比； 4、 硅片和碳化硅等衬底抛光液抛光效率高。

团队是由两名国家级领军人才牵头，包括7名高级职称人员在内的近五十人的研发团队。 宋志棠：新世纪百千万人才工程国家级人选，国务院特殊津贴、上海市领军人才；国家超级973、863和02重大专项首项目首席科学家，中科院特聘教授，开辟我国相变存储器领域，在该领域在Science、Nature comm.等杂志发表400余篇论文、他引4000多次，数量国际排名第一，有专著两部。国家发明专利约500项，创立相变基元八面体理论，发现了TiSbTe、ScSbTe 等自主新型相变材料，成功研制出我国第一款自主PCRAM 芯片，嵌入式PCRAM 芯片在国际上得到首次应用。组建两个公司成果转化，尤其电子级SiO2磨料、IC芯片抛光液产业化获上海市技术发明一等奖。 刘卫丽：国家创新领军人才。在硅基半导体材料、纳米材料制备和表面改性技术、以及化学机械平坦化材料和工艺方面具有丰富的经验。先后在国内外刊物发表论文一百多篇，申请发明专利80余项，其中授权50项。主持了国家重大专项项目、国家863项目、国家自然科学基金和上海市重点攻关等多个项目。

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