科创中国

电子信息技术

公司主要进行高性能、高品质氮化镓外延片材料的研发与生产。面向5G移动通信、数据中心、新能源汽车、无人驾驶、手机快充等战略新兴产业的需求，顺应中国制造2025政策中的创新驱动、高质量供给、国产替代等要求，为中国产业升级提供核心电子元器件。

①核心外延生长工艺：无需对Si衬底进行特殊处理，具有独立知识产权的核心外延生长工艺，可制备出结晶度优异的Si衬底GaN外延片。 ②层结构设计创新：掌握GaN外延片多层薄膜，的关键结构及其联动关系，具备设计创新结构的能力。 ③生长原理优化再创新：了解外延的底层生长中的物化原理，具有对GaN生长工艺及原理进行优化并持续创新的能力。 ④MOCVD适配及改进：可根据自主开发的GaN外延生长工艺来对MOCVD设备进行二次升级改造，实现自主化、精确化、特异化等更高要求的研发和生产需求。

钟蓉：首席科学家、温州大学瓯江特聘教授，薄膜专家，曾入选浙江海外精英引进计划。浙江大学学士、中科院金属研究所硕士、2010年获得匹兹堡大学（2020年USNEWS世界大学排名第47位）工学博士，2015-2020年任美国宾州州立大学化工系客座教授和美国空军基地CINT纳米研究中心Sandia国家实验室项目PI（负责人）。主持过国家重点研发计划项目、国家自然科学基金、国家级人才项目与交流、美国能源部设施基金等，获批授权专利10余项。 曹建国：法人代表、联合创始人，项目运行与管理负责人，衬底及工艺专家。北京理工大学硕士，日本秋田县立大学工学博士，近10年的半导体材料行业从业经验，原北京交通大学副教授、硕士生导师。主要研究领域为半导体薄膜制备及其电学和光学性能研究、半导体晶圆加工过程工艺控制、半导体材料微纳加工等。2009-2011任京仪集团京仪世纪电子股份有限公司多晶硅项目工程师，2014-2021任北京交通大学讲师、副教授、硕士生导师。

点击查看