科创中国

电子信息技术

本发明公开一种内置肖特基接触超势垒二极管的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括源极金属层(1)、重掺杂第一导电类型虚拟栅多晶硅层(2)、重掺杂第一导电类型栅极多晶硅层(3)、氧化层(4)、第二导电类型阳极区域(5)、第二导电类型栅极体区域(6)、重掺杂第一导电类型栅极接触区域(7)、第一导电类型传导区域(8)、轻掺杂第一导电类型漂移区(9)、重掺杂第一导电类型衬底层(10)、漏极金属层(11)；

本发明改善了器件的反向恢复特性，相较于内置超势垒二极管的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，本发明的反向恢复时间更短、反向恢复电流峰值更小。

重庆育成发展有限公司，成立于2013年，重庆高新开发建设投资集团成员，位于重庆市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。 经营范围：为高新技术企业提供技术咨询、技术服务，科技项目的技术转让、技术咨询，技术进出口，从事投资业务（不得从事金融业务），企业形象设计，市场营销策划，房地产信息咨询，会议及展览服务，场地租赁，物业管理，企业管理咨询，从事与创新创业相关的投资业务及资产管理，设计、制作、代理、发布国内外广告（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）重庆育成发展有限公司，成立于2013年，重庆高新开发建设投资集团成员，位于重庆市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。 经营范围：为高新技术企业提供技术咨询、技术服务，科技项目的技术转让、技术咨询，技术进出口，从事投资业务（不得从事金融业务），企业形象设计，市场营销策划，房地产信息咨询，会议及展览服务，场地租赁，物业管理，企业管理咨询，从事与创新创业相关的投资业务及资产管理，设计、制作、代理、发布国内外广告（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）

点击查看