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本发明公开了一种In‑Sn‑Bi三元共晶合金负极材料，所述三元共晶合金负极材料包括In、Sn和Bi三种元素，且所述In、Sn的摩尔比为(1‑2)：1，Bi含量大于25％。

本发明还公开了In‑Sn‑Bi三元共晶合金负极材料的制备方法和应用。本发明所提供的In‑Sn‑Bi三元共晶合金负极材料，其通过采用特定摩尔比的In元素与Sn元素组合，同时与具有良好动力学但容易衰减的Bi组合，三者在球磨合金化过程中形成了细小的纳米结构的共晶组织，显著增加活性物质的比表面积和结构的稳定性，形成的六方晶系的Bi相、正方晶系的Sn相和四方晶系的InBi相提高了镁电池的比容量，并具有优秀的循环稳定性。含有该In‑Sn‑Bi三元共晶合金负极材料所制得的合金负极材料在80圈循环之后筛减极小，容量保持率高达98％。

重庆育成发展有限公司，成立于2013年，重庆高新开发建设投资集团成员，位于重庆市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。 经营范围：为高新技术企业提供技术咨询、技术服务，科技项目的技术转让、技术咨询，技术进出口，从事投资业务（不得从事金融业务），企业形象设计，市场营销策划，房地产信息咨询，会议及展览服务，场地租赁，物业管理，企业管理咨询，从事与创新创业相关的投资业务及资产管理，设计、制作、代理、发布国内外广告（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）重庆育成发展有限公司，成立于2013年，重庆高新开发建设投资集团成员，位于重庆市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。 经营范围：为高新技术企业提供技术咨询、技术服务，科技项目的技术转让、技术咨询，技术进出口，从事投资业务（不得从事金融业务），企业形象设计，市场营销策划，房地产信息咨询，会议及展览服务，场地租赁，物业管理，企业管理咨询，从事与创新创业相关的投资业务及资产管理，设计、制作、代理、发布国内外广告（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）

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