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一种沟槽MOSFET器件及其制备方法
发布时间: 2023-07-03
来源: 科技服务团
基本信息
合作方式：
合作开发
成果类型：
发明专利,实用新型专利
行业领域：
新材料技术
成果介绍
本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种沟槽MOSFET器件及其制备方法，其中器件包括N型衬底，N型衬底从下至上依次具有N型外延、两个Pwell区，两个Pwell区分别位于N型外延顶部的两侧；Pwell区内具有N+区和第一P+区，N+区和第一P+区位于Pwell区的顶部；两个Pwell区之间还具有两个倒梯形沟槽，倒梯形沟槽的一条斜边与对应的Pwell区和N+区接触；倒梯形沟槽内沉积有栅氧层；倒梯形沟槽内还具有多晶硅栅极区，多晶硅栅极区靠近对应的Pwell区和N+区；倒梯形沟槽外还具有第二P+区；第二P+区之间具有肖特基接触区；第一P+区和N+区顶部具有源极欧姆接触区，N型衬底的底部具有漏极欧姆接触区。
成果亮点
采用本发明的技术方案能够提高器件的可靠性、降低功耗。
团队介绍
郑博风，陈显平
成果资料
成果综合评价报告
评价单位：- (-) 评价时间：2023-07-04
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