本发明公开了一种压力/磁场单片集成传感器,该单片集成传感器包括第一磁敏二极管MD1、第二磁敏二极管MD2、第三磁敏二极管MD3、第四磁敏二极管MD4、第一压敏电阻R1、第二压敏电阻R2、第三压敏电阻R3、第四压敏电阻R4、第一负载电阻Rx1、第二负载电阻Rx2、第三负载电阻Ry3和第四负载电阻Ry4;其中,第一磁敏二极管MD1的正极与第二磁敏二极管MD2的正极构成差分输出,第三磁敏二极管MD3的正极和第四磁敏二极管MD4的正极构成差分输出,两对差分输出实现二维磁场的检测;第一压敏电阻R1与第四压敏电阻R4串联,形成第一输出电压Vout1,第二压敏电阻R2与第三压敏电阻R3串联,形成第二输出电压Vout2,两个输出电压构成差分输出实现压力的检测。
(1)该单片集成传感器可以同时对压力和磁场进行检测;
(2)该单片集成传感器在磁场检测时,采用四个平面结构磁敏二极管,分别构成两对差分输出,实现磁灵敏度的提高和温度漂移补偿;
(3)该单片集成传感器的SOI片器件层为n型<100>晶向高阻单晶硅,提高磁传感器的灵敏度并改善压力传感器的温度特性;
(4)该单片集成传感器稳定性好,集成化程度高;
(5)该单片集成传感器体积小,降低了生产成本。
黑龙江大学(Heilongjiang University),位于黑龙江省哈尔滨市,是黑龙江省人民政府和中华人民共和国教育部、国家国防科技工业局共建的省属综合性大学,黑龙江省“双一流”建设国内一流大学A类高校,入选国家卓越法律人才教育培养计划、中西部高校基础能力建设工程、特色重点学科项目、国家建设高水平大学公派研究生项目、中国政府奖学金来华留学生接收院校、全国深化创新创业教育改革示范高校、教育部来华留学示范基地,是世界翻译教育联盟、中俄新闻教育高校联盟、中俄综合性大学联盟、上海合作组织大学、“一带一路”智库合作联盟成员单位。
评价单位:“科创中国”黑龙江科技服务团 (黑龙江省科学技术协会)
评价时间:2023-11-07
鹿泽光
中科国鼎数据科学研究院(北京)有限公司
副院长
综合评价
技术前景广阔,具备技术成果转移转化要求。
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