成果介绍
本发明公开了一种纳米通道原位可控疏水改性方法,包括将用光刻‑阳极键合工艺加工的具有纳米通道的芯片依次置于丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗;对芯片进行注水实验,试验结束后用去离子水中清洗芯片;将芯片放入Piranha溶液中水浴加热,同时使用磁力搅拌加速溶液进入纳米通道;将芯片放在去离子水中超声清洗;对芯片进行注水实验,试验结束后用去离子水清洗芯片;将芯片浸入疏水改性剂溶液中,同时进行超声波处理;依次用丙酮、乙醇和去离子水进行超声洗涤;对芯片进行注水实验,试验结束后用去离子水清洗芯片。
成果亮点
本发明改性后的通道疏水润湿性可控,通过控制改性时间和改性剂浓度可以控制疏水改性后纳米通道的润湿性。
团队介绍
魏兵,王旭成,王典林,张翔,王静懿,谢钦宇
成果资料