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一种低应力强结合高温绝缘涂层的制备方法

发布时间: 2023-06-21

来源: 科技服务团

基本信息

合作方式： 作价入股
成果类型： 发明专利,新技术
行业领域：
新材料技术
成果介绍
本发明公开的一种低应力强结合高温绝缘涂层的制备方法，本发明应用现有技术的磁控溅射技术制备，包括如下依次进行的步骤，进行镀前处理、进行Ar离子溅射清洗、进行沉积粘结层步骤，通过沉积粘结层步骤获得沉积粘结层、进行贫N氮化硅与富N氮化硅交替多层结构步骤，所述贫N氮化硅与富N氮化硅交替多层结构步骤为通过磁控溅射技术在沉积粘结层表面沉积氮化硅获得贫N氮化硅与富N氮化硅交替多层结构，其中氮化硅应用磁控溅射技术通过Si靶与氮气反应溅射进行沉积获得，在磁控溅射过程中通过周期性改变氮气流量调控相邻两层氮化硅中的氮含量，以获得由贫N氮化硅和富N氮化硅交替构成的多层结构，所述的贫N氮化硅与富N氮化硅交替多层结构可以产生交替的拉应力与压应力的微观力学情况。
成果亮点
本发明公开的一种低应力强结合高温绝缘涂层的制备方法，本发明应用现有技术的磁控溅射技术制备，包括如下依次进行的步骤，进行镀前处理、进行Ar离子溅射清洗、进行沉积粘结层步骤，通过沉积粘结层步骤获得沉积粘结层、进行贫N氮化硅与富N氮化硅交替多层结构步骤，所述贫N氮化硅与富N氮化硅交替多层结构步骤为通过磁控溅射技术在沉积粘结层表面沉积氮化硅获得贫N氮化硅与富N氮化硅交替多层结构，其中氮化硅应用磁控溅射技术通过Si靶与氮气反应溅射进行沉积获得，在磁控溅射过程中通过周期性改变氮气流量调控相邻两层氮化硅中的氮含量，以获得由贫N氮化硅和富N氮化硅交替构成的多层结构，所述的贫N氮化硅与富N氮化硅交替多层结构可以产生交替的拉应力与压应力的微观力学情况。
团队介绍
姜欣，李延涛，刘茂，曾小康，冷永祥
成果资料