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一种硅基硅锗异质结双极晶体管及其制造方法

发布时间: 2023-06-19

来源: 科技服务团

基本信息

合作方式： 作价入股
成果类型： 发明专利,实用新型专利
行业领域：
新材料技术
成果介绍
本发明涉及一种硅基硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。
成果亮点
在衬底上离子注入形成N+BL埋层；在N+BL埋层上形成四氮化三硅应力层；离子注入形成N‑集电区；通过氧化形成二氧化硅掩蔽层，刻蚀出集电区窗口后进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；离子注入形成N+BL埋层连通区；在应变基区选择性外延Si1‑xGex基区；在Si1‑xGex基区上方淀积硅帽层；淀积N型多晶硅作为发射极；刻蚀Si并淀积SiGe材料与四氮化三硅应力层形成集电区应力区；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成电极引线。本发明能够增强载流子的迁移率、减小载流子总渡越时间，提高晶体管工作速度。
团队介绍
王冠宇，凌鹏，孔森林，向盈聪，周春宇，王巍
成果资料