成果介绍
本发明公开了一种纳米通道原位可控疏水改性方法,包括将用光刻‑阳极键合工艺加工的具有纳米通道的芯片依次置于丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗;对芯片进行注水实验,试验结束后用去离子水中清洗芯片;将芯片放入Piranha溶液中水浴加热,同时使用磁力搅拌加速溶液进入纳米通道;将芯片放在去离子水中超声清洗;对芯片进行注水实验,试验结束后用去离子水清洗芯片;
成果亮点
将芯片浸入疏水改性剂溶液中,同时进行超声波处理;依次用丙酮、乙醇和去离子水进行超声洗涤;对芯片进行注水实验,试验结束后用去离子水清洗芯片。
团队介绍
魏兵,王旭成,王典林,张翔,王静懿,谢钦宇
成果资料