成果介绍
本实用新型涉及一种倒装结构的紫外LED芯片,包括依次设置的电极层、P‑GaN层、量子井层、N‑GaN层以及衬底层;所述N‑GaN层与所述衬底层相互接触,所述衬底层与所述N‑GaN层相接触的面为接触面,所述衬底层上与所述接触面相邻的面为斜面,该斜面与所述接触面之间的夹角为锐角。本实用新型提供的倒装结构的紫外LED芯片,通过将与接触面相邻的面设为斜面,提高了紫外LED芯片的出光效率,与传统的矩形结构的衬底层相比,本实施方式的紫外LED芯片的出光效率提高了10%以上。
成果亮点
本实用新型提供的倒装结构的紫外LED芯片,通过将与接触面相邻的面设为斜面,提高了紫外LED芯片的出光效率,与传统的矩形结构的衬底层相比,本实施方式的紫外LED芯片的出光效率提高了10%以上。
团队介绍
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成果资料