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氮化物半导体紫外线发光元件具备将包含纤锌矿构造的AlGaN系半导体的n型层、活性层及p型层层叠于上下方向的发光元件构造部，n型层以n型AlGaN系半导体构成，活性层包含以AlGaN系半导体构成的1层以上的阱层，p型层以p型AlGaN系半导体构成，n型层与活性层内的各半导体层是具有形成了平行于(0001)面的多阶状的平台的表面的外延生长层，n型层具有多个第1Ga富化区域，该第1Ga富化区域是在n型层内平均地分散存在的AlN摩尔分数局部为低的层状区域且包含AlGaN组成比为整数比的Al7Ga5N12的n型AlGaN区域，具有层状区域的各延伸方向相对于n型层的上表面倾斜的部分

该发光元件的构造具有多个创新亮点，包括： 采用氮化物半导体材料，具有高效紫外线发光性能。 采用纤锌矿构造的AlGaN系半导体，提高了材料的稳定性和可靠性。 采用具有多阶状平台的表面的外延生长层，可以增加材料表面积，提高发光效率。 n型层内含多个第1Ga富化区域，可以提高元件的电学性能和稳定性。

申请人： 日机装株式会社 发明人： 平野光;长泽阳祐