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本项目的建模方法首先采用TCAD仿真工具分析LET、温度、入射位置、入射角度、漏极偏置对NMOS器件单粒子电流脉冲的影响，得到每种因素对单粒子电流脉冲影响的最坏情况；然后将温度、入射位置、和漏极偏置设置为最坏情况，获得不同LET情况下的漏极瞬态电流脉冲，使用模拟函数对电流脉冲进行拟合，获得每种LET情况下的模拟函数参数值，之后将拟合得出的模拟函数参数值与LET进行拟合，并在得到的拟合表达式中考虑入射角度的影响；最后采用“Verilog‑A”语言可建立复杂条件下的单粒子瞬态脉冲电流源模型。

本发明中对TCAD仿真工具分析的取值进一步优化，LET：***～***(元素周期表的1～92号元素在器件内的LET作用范围)；温度：-55℃～125℃；入射位置：在NMOS的反偏漏极区域均匀取点不少于30个；入射角度：0～60°；漏极偏置：0～电源电压Vdd。采用“Verilog-A”语言建立复杂条件下的单粒子脉冲电流源模型，进行电路级单粒子效应仿真。本发明综合考虑了复杂条件(LET、温度、入射位置、入射角度、漏极偏置)对单粒子瞬态电流脉冲的影响。通过对三参数的Weibull函数进行改进，不仅继承了函数精确描述单粒子瞬态脉冲电流源峰值、脉宽以及脉冲变化趋势的优点，并且只需LET和入射角度即可确定对应LET和入射角度下的最坏单粒子脉冲电流，简单而又准确度高。根据所建立的复杂条件下的单粒子脉冲电流源可通过电路级单粒子仿真验证，保证模型的准确性。

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