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本发明公开了一种具有钙钛矿复合栅结构的GaN HEMT光电探测器及其制备方法，主要包括GaN HEMT光电探测器包括衬底、位于衬底上的GaN缓冲层、位于GaN缓冲层上的AlGaN势垒层、位于AlGaN势垒层表面两侧的源漏电极，以及位于源漏电极之间的复合栅结构，其中，复合栅结构包括位于AlGaN势垒层上的钙钛矿以及位于钙钛矿层上的TCO层。此外钙钛矿图形化后，与透明导电氧化物组成复合栅结构，并将其用在氮化镓HEMT光电探测器上，以使钙钛矿材料优异的光电性能与HEMT器件的高迁移率、高开关比特性相结合，从而获得更好的光电响应，扩大了器件应用范围。

钙钛矿作为新型的光电材料，由于其高吸收系数，高载流子迁移率和带隙可调的优点，常用于光电器件，尤其是在太阳能电池领域得到了成功的应用。此外，在光电探测器的应用方面，钙钛矿光电探测器兴起只有短短几年时间便经历了十分蓬勃的发展，迅速成为光电子领域研究的热门。研究表明，基于钙钛矿材料有望制备新一代低成本、高性能光电探测器。钙钛矿材料具有丰富的微观形貌，包括微晶/多晶薄膜、块体单晶和低维纳米单晶等，不同形貌的钙钛矿材料在性能上展示出很大的不同。目前，虽然钙钛矿多晶薄膜较易制备，但其不易实现图形化，因此，现有的多晶薄膜探测器大多直接采用钙钛矿薄膜作为光活性层进行探测。其中，钙钛矿光暗电流比虽可达到106，但是需要电子、空穴传输层等复杂结构的支持，这大大限制了其在光电探测器件中的应用。本发明是 AlGaN势垒层上光刻出源漏电极区域，源漏电极区域依次淀积22nm厚的钛金属、140nm厚的铝金属、55nm厚的镍金属以及45nm厚的金金属，以形成器件的源漏电极。本发明通过将钙钛矿图形化后，与透明导电氧化物(TCO)组成复合栅结构，并将其用在氮化镓HEMT光电探测器上。

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