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本发明提供了一种铜锌锡硫薄膜的制备方法，属于光伏材料制备领域，包括以下步骤：将硫化亚铜、硫化锌、二硫化锡、硫以及无水乙醇球磨混合后压制成型，得到靶坯，在硫蒸气和惰性气体的混合气氛下，对靶坯进行烧结，得到靶材，再在衬底上对靶材进行磁控溅射，得到铜锌锡硫薄膜。本发明制得了单一化合物靶材，实现了Cu2ZnSnS4薄膜的一步法原位生长，制备的薄膜均匀性好、结晶质量高、物相纯，且工艺流程短，成本低，适合工业化生产。实施例的数据表明，本申请制得的Cu2ZnSnS4薄膜导电类型为p型，载流子浓度高达***×1020cm-3，电阻率为***Ω·cm，适合作为太阳能电池的吸收层。

一种铜锌锡硫薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将硫化亚铜、硫化锌、二硫化锡、硫以及无水乙醇球磨混合，得到混合物料； (2)将所述步骤(1)得到的混合物料压制成型，得到靶坯； (3)在硫蒸气和惰性气体的混合气氛下，将所述步骤(2)得到的靶坯进行烧结，得到靶材； (4)在衬底上对所述步骤(3)得到的靶材进行磁控溅射，得到铜锌锡硫薄膜。

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