科创中国
一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管及制作工艺方法
发布时间: 2022-12-09
来源: 科技服务团
基本信息
合作方式：
技术服务
成果类型：
新技术
行业领域：
新一代信息技术产业
成果介绍
本发明提供了一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管及其制作工艺方法，该结构包括SOI器件硅层内引线、SiO2介质隔离环和磁敏感区等，通过器件硅层内引线将发射极E从器件硅层的下表面引至器件硅层的上表面，使基极B、集电极C和发射极E均位于器件硅层的上表面，同时通过SiO2介质隔离环进行内引线区和磁敏感区的隔离，抑制内引线区杂质横向扩散对磁敏感区的影响。
成果亮点
磁敏三极管主要应用于磁场测量，因其优异的灵敏度、稳定性以及低温漂的优点，在地磁勘测、机械检测、电子罗盘等领域具有重要作用。
立体结构磁敏三极管，即在SOI器件硅层中具有立体结构的磁敏三极管，其中基区和集电区位于SOI器件硅层上表面，发射区位于SOI器件硅层下表面，与SiO2绝缘层交界。立体硅磁敏三极管具有磁灵敏度高、温度系数低等优异特性，但由于芯片结构立体化的原因，在制作发射极时需采用背电极制作工艺，该工艺需要对器件硅层的下表面进行刻蚀和离子注入，可控性较低，对器件的灵敏度、准确度和良品率等产生较大的影响，尤其封装对磁敏特性产生影响，给立体硅磁敏三极管的集成化、小型化和批量化造成了阻碍。
为突破背电极制造工艺的技术瓶颈，需设计一种立体硅磁敏三极管的平面化电极结构，降低器件制造过程中背电极制造工艺难度，使得器件具有更优异的一致性和准确度。
团队介绍
黑龙江大学（Heilongjiang University），位于黑龙江省哈尔滨市，是黑龙江省人民政府和中华人民共和国教育部、国家国防科技工业局共建的省属综合性大学，黑龙江省“双一流”建设国内一流大学A类高校，入选国家卓越法律人才教育培养计划、中西部高校基础能力建设工程、特色重点学科项目、国家建设高水平大学公派研究生项目、中国政府奖学金来华留学生接收院校、全国深化创新创业教育改革示范高校、教育部来华留学示范基地，是世界翻译教育联盟、中俄新闻教育高校联盟、中俄综合性大学联盟、上海合作组织大学、“一带一路”智库合作联盟成员单位
成果资料
产业化落地方案
成果综合评价报告
评价单位：“科创中国”黑龙江科技服务团 (黑龙江省科学技术协会) 评价时间：2023-02-23
黄剑华
哈尔滨工业大学
教授
综合评价
以上结合了优选的实施方式对本发明进行了说明，不过这些实施方式仅是范例性的，仅起到说明性的作用。在此基础上，可以对本发明进行多种替换和改进，这些均落入本发明的保护范围内。
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