成果介绍
红外焦平面探测器可探测目标的红外辐射,并将目标的温度分布转换成视频图像,其成像具有作用距离远、抗干扰性好、穿透能力强、可全天候、全天时工作等优点,是具有战略意义的军民两用技术。 由于红外焦平面探测器的军事敏感性,探测器长期被欧美国家列入控制清单,对我国实行严苛的技术封锁和产品禁运。我国红外探测器研制起步较晚,核心技术依然受制于人。面对国内外因素的双重压迫,为保障国防安全,加上武器装备、航空航天、安全环保、安防监控等领域对超大面阵、多色红外成像、可适用极端工作环境的高性能制冷探测器的急迫需求,国内急需突破高性能制冷探测器的核心关键技术,形成自主研发能力,真正拥有“中国红外芯”,解决西方国家在高端红外芯片领域对我们的“卡脖子”问题。
成果亮点
我司通过材料、芯片、制冷机等关键技术和方法的自主创新,研制出基于碲镉汞(MCT)和II类超晶格材料的高性能制冷型焦平面探测器,主要创新成果如下:1、研发大尺寸锑化物红外焦平面探测器材料外延技术。创新性地通过分子束分步控制技术有效实现了锑化物超晶格材料的高重复性、高可控性大面积制备,率先在国内制备完成了大尺寸锑化物外延材料。2、研发碲锌镉衬底低振动模式下的生长技术、垂直液相外延大面积均匀化以及低位错密度技术,解决了高质量碲镉汞材料大批量生产难题,首次实现了该材料在国内批量自制。3、研发高密度、小尺寸铟柱制备技术和大规模面阵倒焊互连技术,实现了国内第一款百万像素的12微米像元制冷探测器的芯片制备。4、研发超晶格双色探测器单电极工作模式,攻克了超晶格低损伤、高深宽比的微台面成型技术及低暗电流的双层钝化技术,制备了国内首款基于锑化物超晶格中长波双色探测器芯片。5、研发制冷机全温区整机动态仿真和高耐磨纳米涂层技术,解决了制冷探测器在极端环境下的应用难题。
团队介绍
武汉高德红外股份有限公司创立于1999年,是专业从事红外探测器芯片、红外热成像产品、综合光电系统及完整武器系统科研生产的民营上市公司。高德红外工业园位于“中国光谷”,占地200余亩,员工4000余名,已建成全球唯一覆盖从底层红外核心器件到十几个分系统直至顶层完整武器系统全产业链的军民两用产品研制基地。作为以红外为主导的高科技公司,高德红外拥有自底层至系统的完整而全面的自主技术,并已构建完成从底层红外核心器件,到综合光电系统的全产业链研发生产体系。
成果资料