科创中国
一种在Si表面生成0-50纳米任意高度纳米台阶的方法
发布时间: 2022-11-17
来源: 科技服务团
基本信息
合作方式：
技术转让
成果类型：
发明专利
行业领域：
电子信息技术
成果介绍
本成果提供了一种在Si表面生成0-50纳米任意高度纳米台阶的方法，首先采用原子层沉积法在Si基底上制备Al2O3薄膜，然后采用光刻工艺将纳米台阶平面图形转移到Al2O3薄膜，通过湿法刻蚀对样品进行腐蚀，去除掩蔽层，得到纳米台阶结构；所得的纳米台阶具有表面粗糙度小，高度可控的特点，能够为纳米台阶样板的制备提供一个新的方法
成果亮点
通过控制Al2O3薄膜生长时间，可以生成0-50纳米任意高度的表面光滑、高度精确的纳米台阶高度标准物质，不仅可以用于检测与校准纳米测量仪器，保证测量仪器的测量准确性；还可以用于在具有纳米级关键尺寸的半导体器件、纳米药物颗粒的制备过程中，对关键尺寸进行比对测量，检验关键尺寸的准确性，进而保证产品的性能。填补国内50纳米以下台阶高度标准物质空白，完善从国家到地方直至产业的纳米几何量值传递体系，使我国具有主导相关量值国际比对的能力，为提升我国相关微纳器件的总体质量水平提供了计量保障。
团队介绍
西安交通大学蒋庄德院士团队，长期致力于微纳制造技术研究，其国家重点实验室具备国际一流的纳米制造能力，研制的台阶高度标准器已达到国际领先水平。依托“机械制造系统工程国家重点实验室”、“高端制造装备协同创新中心”等科研平台，长期从事纳米长度计量标准制备技术及测试理论的研究。先后承担了国家重点研发计划、国家自然科学基金等多个相关项目，针对纳米几何量计量中迫切需要解决的问题，已完成了纳米级线宽、台阶高度和栅格等多种类型纳米样板的创新研制与应用研究，拥有电子束直写光刻机、等离子体增强原子层沉积系统、原子力显微镜等大型精密仪器设备，为该成果的成功实施奠定了坚实的基础
成果资料
产业化落地方案
成果综合评价报告
评价单位：- (-) 评价时间：2022-12-22
李树刚
西安科技大学
副校长
综合评价
该技术创新性很强，且技术成熟，投资回报比较可靠。总体而言，该项技术思路方向很好，未来市场空间较大，有利于当前政策要求，转化成熟度高，值得支持推广。建议强化相应产品开发，加大产业链开发力度。
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