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一种耐高温纳米硅薄膜二极管及其制备技术

发布时间: 2022-11-11

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式： 技术转让
成果类型： 新品种,新技术
行业领域：
电子信息技术,新材料技术
成果介绍
该成果是一种用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术，它采用高熔点的钨或钽丝作为催化分解热丝，对通入生长腔体中的气体进行快速分解，通过控制热丝温度、H2稀释比、衬底温度和生长气压等参数，可以实现不同导电类型的纳米硅薄膜的沉积和相关二极管的制备，制备的纳米硅薄膜大面积均匀，载流子浓度和迁移率可控性好。
成果亮点
1.纳米硅薄膜的禁带宽度大于***； 2. 纳米硅薄膜的晶化率大于90%； 3. 纳米硅薄膜二极管的工作温度不低于300oC，远高于传统的晶体硅二极管150oC的最高工作温度； 4用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术，制备的纳米硅薄膜大面积均匀，载流子浓度和迁移率可控性好。
团队介绍
学院是我国航空航天动力、能源高效利用领域、车辆行业高素质人才培养和科学研究的重要基地。60余年来，学院培养了12000余名本科生，3000余名研究生，涌现一大批学术领军人才、行业技术中坚、大型央企/研究院所负责人及高管，学院现有本科生近1000名，硕士生760余名，博士生200余名。
成果资料