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一种耐高温纳米硅薄膜二极管及其制备技术

发布时间: 2022-11-10

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式： 技术许可
成果类型： 新技术
行业领域：
新一代信息技术产业,新材料产业
成果介绍
一、项目简介 该成果是一种用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术，它采用高熔点的钨或钽丝作为催化分解热丝，对通入生长腔体中的气体进行快速分解，通过控制热丝温度、H2 稀释比、衬底温度和生长气压等参数，可以实现不同导电类型的纳米硅薄膜的沉积和相关二极管的制备，制备的纳米硅薄膜大面积均匀，载流子浓度和迁移率可控性好。
成果亮点
二、创新点以及主要技术指标 1.纳米硅薄膜的禁带宽度大于 ***；2. 纳米硅薄膜的晶化率大于 90%；3. 纳米硅薄膜二极管的工作温度不低于 300oC，远高于传统的晶体硅二极管 150oC 的最高工作温度。4 用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术，制备的纳米硅薄膜大面积均匀，载流子浓度和迁移率可控性好。
团队介绍
联系人： 庄仙竹 电话：15295039286 单位名称： 武进区科技成果转移中心
成果资料