科创中国
超宽禁带半导体氧化镓衬底及外延产业化
发布时间: 2022-11-04
来源: 科创项目库
基本信息
合作方式：
成果类型：
发明专利,软件著作权,发明专利,软件著作权
行业领域：
新材料技术
成果介绍
项目主要产品为超宽禁带半导体氧化镓单晶衬底和外延片。氧化镓是在电力电子领域制造耐高压、耐高温、耐辐照功率器件的优良半导体材料。其禁带宽度为***，击穿电场强度高达8MV/cm，是Si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上，巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍、4倍以上，在制造相同耐压的单极功率元件时，元件的导通电阻比采用SiC及GaN低很多。另外，氧化镓材料（β-Ga2O3）具有和日盲紫外波段匹配的禁带宽度，是制备日盲紫外传感器的天然材料，氧化镓光电传感器探测中不需要使用昂贵的紫外滤镜，也不需要与其它材料复合，就可以实现日盲紫外探测。所以，器件的结构相对简单、器件稳定性好、成本较低。
国内Ga2O3的研究还处于起步阶段。一直以来，中国在β-Ga2O3晶体材料和器件方面的研究相对落后，关键原因是受限于大尺寸、高质量β-Ga2O3晶体的获得。目前氧化镓半导体属于卖方市场，高质量的单晶衬底和外延片大部分依赖日本进口。公司起步阶段，充分利用政府资源及社会资金，聚焦于单晶衬底和外延片的研发制备，客户主要以高校和科研用户为主。公司通过技术迭代、推广宣传，不断挖掘和培养潜在的应用客户。在
成果亮点
一、团队优势：半导体+材料+设备+市场开发交叉互补
二、竞争优势
1、技术积淀深，在衬底开发、外延生长、器件研发、工艺方面有多年积累
2、人才学科交叉，行业积累深厚；成员背景丰富，能有效利用社会资源为公司发展助力
3、整合产学研优质研发资源，培养高水平产业人才
从技术基础、工艺研发、平台支撑、人才队伍和资源整合方面，有非常强的竞争优势。
团队介绍
项目现有团队成员共13人，其中博士5人、硕士4人，留学归国人员2人。团队成员能力交叉互补，涵盖半导体、晶体生长、外延薄膜、高温设备、器件设计、项目管理和市场融资等方面。团队领军人李培刚博士简介如下：
李培刚，北京邮电大学教授，中国物理学会终身会员，中国物理学会固体缺陷专业委员会委员，美国物理学会会员，宽禁带半导体技术创新联盟标准化委员会委员，北京市硅酸盐学会理事，苏州黄埭高新区科技智库专家。2006年毕业于中科院物理所凝聚态物理专业，获得理学博士学位，毕业后到浙江理工大学工作，曾担任物理系副主任、党支部书记，系主任等职务。2007年以来先后在德国于利希研究中心（2007年德国洪堡学者）、希腊激光与电子结构研究所、美国杜兰大学进行合作研究。2018年5月调入北京邮电大学物理系工作，担任材料科学与工程专业负责人，学院教学委员会委员。目前在公司担任CTO一职。
发表SCI论文160余篇，其中ESI高被引论文4篇，被国际同行引用3000余次。获授权发明专利30 余项，牵头制定氧化镓相关团体标准一项。作为主要完成人（排名第三）的科技项目《氧化镓外延薄膜及深紫外器件基础研究》获得北京市科学技术奖自
专家点评
“科创中国”技术路演——先进材料（昆明）专场 | 2022-09-28
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吕旭东
北京北航先进工业技术研究院有限公司—高级工程师