科创中国

1.技术创新程度 针对III族氮化物材料与器件面临的晶体质量差、器件能量转换效率低、传统工艺及装备生产成本高、生产良率低等问题，发明了激光光栅扫描辅助PLD低温外延生长技术、PLD低温外延结合MOCVD高温外延的两步生长技术，创新程度高。 2.技术经济指标的先进程度 项目大幅降低了III族氮化物外延材料的缺陷密度至 8×107cm-2，显著提升了其载流子输运性能及器件能量转化效率技术经济指标国际领先。 3.技术难度和复杂程度 III族氮化物材料与器件存在衬底和III族氮化物之间的界面反应、外延材料缺陷密度较高、高效掺杂难度较大等行业共性难题，并面临国外封锁，使器件制备效率低、生产成本高，从而技术难度大、复杂程度高。 4.技术重现性和成熟度 项目形成了先进完整的技术与装备体系，生产的5G SABAR滤波芯片、大功率LED芯片、GaN功率芯片已应用于高频宽带通信、半导体照明和新能源汽车逆变器等领域。技术重现性好、成熟度高。 总体而言，该项目技术思路方向很好，未来市场空间大，有利于当前政策要求，转化成熟度很高，值得支持推广。建议强化相应产品开发，加大产业链开发力度。