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您所在的位置: 成果库 内存外存融合 计算与存储控制融合

内存外存融合 计算与存储控制融合

发布时间: 2022-10-31

基本信息

合作方式： 股权融资
成果类型： 发明专利,实用新型专利
行业领域：
新一代信息技术产业,电子核心产业
成果介绍
融合DRAM与NAND的DDR5控制器项目，开启内存外存融合、计算与存储控制融合时代。国内还未有主控多路控制器研发。国际上有美国BROADCOM，PMC SIERRA，MARVELL生产多路主控芯片，含有NVME的多路多模式芯片目前只有BROADCOM(LSI)。融合存储独家控制芯片，目前其他中国公司不具备自主研发能力。对标Intel optane dimm，此技术为全球垄断。1、控制器以主机侧DDR5接口融合DDR4/5存储介质与NAND介质；2、实现Stotage Class Memory(Persistent Memory)；3、DDR5访问速度，NAND级内存容量（TB），SSD级低功耗；4、固态盘延迟低于PCIE的NVMe （10纳秒级 Latency）；5、专利“融合闪存的CPU虚拟DRAM控 制 器 ” 的 子 集（通用CPU外接）。
成果亮点
DDR5的传输速率较DDR4提高一倍，受物理因素限制，采用UDIMM型的DDR4方式会非常困难。采用缓冲器(BF)限制传输长度，降低负载是非常有效的办法。DDR5融合控制器可以提供这样的信号缓冲；不同于DRAM，NAND的访问时间有可能会出现不确定性，NVDIMM-P需要等待机制。有几种可能的解决方法:1、READY信号；2、用ECC出错指示系统重试；3、用软件方式消除等待。
团队介绍
林琦博士，公司创始人，1978年被中科院录取，师从夏培肃（中国计算机之母），研究方向计算机科学与技术。1979-1983年公派到英国曼彻斯特大学攻读硕士及博士。1983年-1991年于中科院计算机所从事最大时间差流水线研究，负责高速流水线模型机的设计和调试，采取总体结构设计、逻辑设计和工程设计的一体化全局设计方法和工程布线，实现了最高速率流水线时间差原理。1996年在硅谷创办Highpoint。Highpoint设计的ATA RAID IC控制器，被全球诸多知名品牌主板和PC设备厂家采用，如HP，SunMicrosystems，Apple，Abit 等大量应用。
专家点评

“科创中国”技术路演北京高科技专场 | 2022-10-30

  • 林琦

    北京微密科技发展有限公司—创始人

    技术专家 产业专家
    具备核心竞争力，有很好的市场应用前景，未来发展很有前途

  • 齐连旭

    北京理想科技信息有限公司—董事长

    技术专家 产业专家
    融合存储独家控制芯片，目前其他中国公司不具备自主研发能力，具备明显技术壁垒

  • 闫晋文

    集采数科（北京）技术有限公司—总经理

    技术专家 产业专家
    DDR5的传输速率较DDR4提高一倍，受物理因素限制，采用UDIMM型的DDR4方式会非常困难，采用缓冲器(BF)限制传输长度，降低负载是非常有效的办法

  • 王言子

    北京锂能星空新能源科技有限公司—公司监事

    技术专家 产业专家
    技术优势很明显，未来可扩展空间非常大，有比较不错的商业前景

  • 欧阳平

    北京图航科技有限公司—创始人

    技术专家 产业专家
    专业度和垂直度高，具备很好的技术优势和核心技术，潜力很大

  • 吴章生

    中科知道（北京）科技有限公司—总经理

    技术专家 产业专家
    项目具有很好的市场应用前景

  • 贾伟一

    北京煜境科技有限公司—总经理

    技术专家 产业专家
    拟解决核心问题把握精准，所采用技术方案先进合理，总体来说具备较强的创新性，市场前景看好
成果资料
路演文件