科创中国
氮化铝钪（AlScN）战略新型半导体材料
发布时间: 2022-10-26
基本信息
合作方式：
股权融资
成果类型：
发明专利,实用新型专利
行业领域：
新材料技术
成果介绍
项目团队致力于压电材料---高质量氮化铝钪（AlScN）外延产品的研发、生产、销售。氮化铝钪主要以单晶薄膜的形式（外延）应用于电子器件中，本项目自主研发硅、蓝宝石、碳化硅基氮化铝钪外延产品，可与滤波器生产企业合作制造高性能5G FBAR/BAW/SAW滤波器，降低国内下游滤波器器件与方案商的研发成本，改善压电材料质量、提高材料性能及相关电子器件效率，解决国产射频滤波器“卡脖子”环节，使5G产业链摆脱滤波器依赖进口的局面。项目创始人具备化学工程与材料专业背景，项目技术路线结合金属有机化学气象沉积法（MOCVD），同时项目团队通过钪元素前驱体选择、反应器改造、精准控温、工艺参数优化等路径对已有技术路线进行改造和工艺升级，可实现高质量的氮化铝钪外延。目前项目产品主要作为基础材料应用于手机滤波器和基站滤波器制造，且已量产高质量氮化铝钪外延薄膜用于紫外LED，未来可拓展应用至铁电存储器等领域。项目拟融资2000万元、出让10%股权，融资资金用于建MOCVD外延生产工厂，拟建设万级/千级洁净实验室共2000平方米，生产工厂建成后公司将具备先进半导体材料量产能力和制造工艺研发能力。
成果亮点
制造国际最前沿的压电材料：高质量氮化铝钪(AlScN)，以实现5G所需的高效低耗滤波器的国产替代，填补国内技术空白，使高端5G射频芯片不再被欧美“卡脖子”，与国际巨头站在同一竞争维度，获得弯道超车的机会。铁电存储具有非易失、低功耗、多读写次数、高存取速度、高密度、抗辐射等特性；铁电存储是优势明显、代表趋势的下一代存储，应用广泛、前景极为广阔。已量产高质量氮化铝钪外延薄膜用于紫外LED，未来可拓展应用至铁电存储器等领域。
团队介绍
张懿（女）、创始人、博士。美国堪萨斯州立大学化学工程博士、明尼苏达大学化学工程与材料系博士后。十余年金属氮化物合成表征经验，具备材料合成、设备搭建与控制、流体力学控制、器件制备等全面的综合研发及应用能力。工业化氮化铝多晶、体晶、外延的反应器设计，工艺条件，晶体表征，质量控制，卤素气相沉积（HVPE）反应器设计（类MOCVD）、安装、工艺优化。宽禁带半导体的生长、切割、研磨、抛光整套工艺流程和技术。发表十余篇，包括Journal of Applied Physics等。重要相关美国专利（Off-Axis Silicon Carbide Substrates, US 20110220915 A1 ）获堪萨斯州立大学研究基金会创新奖。
专家点评
“科创中国”技术路演高端装备制造专场 | 2022-10-27
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张怡
创新铝钪新材料科技有限公司—创始人
梁勇琦
奇路穿越机器人有限公司—技术负责人
高琼
高博纳米科技有限公司—创始人
田晓春
北京太赫兹科技有限公司—联合创始人
叶南
北京航达青云科技有限公司—创始人
王佳
元启科技有限公司—CEO