科创中国

电子信息技术

本项目开发了一种基于硅基集成外腔的超窄线宽激光器,线宽<5KHz ,边模拟制比>58dB。同时，该技术具备波长可调谐功能，可以大大简化水听器阵列和光纤传感系统的结构。该技术的核心是基于硅基集成的高Q微腔芯片，通过优化超低损硅基波导制备工艺与创新外腔结构设计，将传统的激光器输出光波的线宽压窄了100至1000倍，其最优线宽可达到 1KHz以下，从而大大将提升光子系统的各项性能。另外，窄线宽激光器的输出波长可定制，其覆盖范围从400nm到2um, 从而扩展了此类激光器的应用范围。

氮化硅外腔的优势：基于氮化硅波导的超低损波导，及其构成的高Q微腔，①波导损耗低：~*** dB/cm （相对 SOI 波导损耗低一个数量级）可以保证窄线宽波导损耗低： *** dB/cm （相对 SOI 波导损耗低 个数量级）可以保证窄线宽②体积小：组成微腔直径250um, 相对于PLC，同等面积缩小两个量级 (低成本）③电可调谐： 易扩展多功能④可覆盖波长范围宽, 工作波长：400-4000nm。

技术负责人：陈明华，清华大学电子系长聘教授，2009-2010年为麻省理工学院电子学研究所（RLE @MIT）访问教授。主要研究方向是微波光子学、光通信与光网络及其关键集成光电子器件技术，承担和参加了多项国家自然基金重点与重大项目973项目高技术863等科研项目，曾获获国家科技进步奖二等奖1项，部级科技进步奖5项。 产业化负责人： 王晖， 清华大学电子系本科（91级）、硕士毕业，长期从事光电子器件行业市场与管理工作，先后在昂纳信息技术有限公司北京分公司、德国比科特(BKtel)通讯有限公司，美国Multiplex Inc. 工作。 德国比科特通讯有限公司、美国Multiplex Inc工作。 封装工艺负责人： 薛挺，天津大学博士/博士后，集成光电子学理论知识雄厚 有成功建设完成有源 无源光器件生产线的丰富经验 曾在美 识雄厚，有成功建设完成有源、无源光器件生产线的丰富经验。曾在美国JDSU、NeoPhotonics，北京世维通等公司长期从事研发、封装工艺开发等工作。

点击查看