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面向5G前传的高速半导体激光器

发布时间: 2022-10-13

来源: 科技服务团

基本信息

合作方式： 技术转让
成果类型： 发明专利
行业领域：
电子信息技术,新型电子元器件,通信技术
成果介绍
本成果创新性地提出一种沟中沟脊波导DFB激光器结构，相比较常规DFB激光器，在脊两侧对称的刻蚀两个沟槽。此结构可抑制注入载流子的横向扩散，提高对光场的束缚，提高芯片带宽，满足芯片高速工作需要。芯片的高温输出光功率大于10mW，单模抑制比大于40dB，实测宽温25Gb/s眼图及误码率均达到商用需求。同时，相比较常规芯片，其制作过程只需多加一步简单的刻蚀，无需二次外延，成本低，做了2000小时的老化试验，其功率变化小于***%，具有高可靠性。
成果亮点
成果入选 2021 年科技部国家重点研发计划光电子与微电子专项重大科技成果，参加国家“十三五”科技创新成就展。 （1）高性价比芯片结构，量产良率高，无需制冷的电信级高可靠性。 （2）生产过程全国产化，打破国外垄断。 （3）更高的芯片带宽，满足5G应用高速应用需求。
团队介绍
张敏明，博士，教授，华中科技大学光学与电子信息学院副书记、副院长，下一代互联网接入系统国家工程研究中心常务副主任。2009年博士毕业于华中科技大学，2011-2012年美国南加州大学访问学者，研究方向为光互连与光接入芯片、器件与系统。主持国家重点研发计划项目1项、973计划课题1项、863计划课题4项、国家自然科学基金4项和湖北省重大科技创新计划项目2项，以通讯作者在 Light: Science and Applications、Photonics Research、Optics Letters、Optics Express等国际学术期刊及国际学术会议上发表论文70余篇，授权发明专利36项（含美国专利1项）。
成果资料
产业化落地方案
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