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电子信息技术,通信技术

氮化镓基射频器件是华为和中兴发展 5G 通信产业的核心器件， 西安电子科技大学氮化镓射频器件研究团队自 2016 年起就与华为西 安研究所、中兴西安研究所等国内主流 5G 通信公司协同攻关开展氮 化镓基射频器件的研究，目前承担的流片服务项目合计约 500 万元。 2017 年，西安电子科技大学与西安市高新区、西电电气集团等 联合成立“陕西半导体先导技术中心”，中心致力于推动陕西第三代半 导体产业发展，促进以氮化镓为代表的射频器件、功率器件等加速产 业化，2019 年团队向陕西半导体先导技术中心转让专利 35 项，作价 2000 万元，双方正在联合推进搭建第三代半导体中试平台，平台将 会立足西安，服务全国，提升氮化镓基射频器件量产工艺可靠性，实 现相关技术成果转化。

本项目由西安电子科技大学作为技术攻关的主要单位，制定技术 路线，保障国家重大科技专项“高效 GaN 微波功率器件及可靠性研 究”和“5G 移动通信 GaN 芯片可靠性机理研究”研究，与华为和中 兴联合开展工程合作项目实施，加快解决器件工艺可靠性工程问题， 重点开展氮化镓微波功率与太赫兹器件工程技术研究，突破高性能低 缺陷外延材料生长、高效率高可靠氮化镓微波功率器件工艺技术等关 键瓶颈问题，协助规模量产高效率 S-Ku 波段典型氮化镓功率器件和 模块、5G 基站核心射频模。

项目负责人马晓华教授担任微电子学院副院长，宽禁带半导体国 家工程研究中心主任，宽禁带半导体材料教育部重点实验室主任，是 国防科技创新团队的核心成员，承担了宽禁带半导体核心电子器件研 发及该领域的人才培养工作，入选教育部“长江学者”特聘教授，科技 部“万人计划”领军人才，首批“国防卓越青年”基金获得者。近年来， 主持了 973 计划项目、国家科技重大专项、国家自然科学基金重点项 目、国防预研等国家重大科研项目，研究成果满足了国家和国防的重 点工程需要，目前在氮化镓射频器件产业化方向负责的国家重大科技 专项 “高效 GaN 微波功率器件及可靠性研究”，“5G 移动通信 GaN 芯 片可靠性机理研究”，总经费约 4000 万元。研制的高效率氮化镓微波 功率器件功率附加效率于 2011 年和 2015 年分别达到了 73%和 85%， 均为当时国际最高水平。建立了氮化镓微波毫米波器件设计的理论模 型，解决了面向超高频毫米波应用和高压大功率器件应用的关键材料 及器件技术，推动了我国第三代半导体技术从基础研究到装备化和商 业化应用发展。

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