基于 SOI 的射频芯片设计

发布时间: 2022-09-29

来源: 科技服务团

基本信息

合作方式：股权融资

成果类型：发明专利

行业领域：

电子信息技术

成果介绍

依托团队在硅基高级程度多通道T/R系统芯片方面的技术优势，解决目前GaAs工艺T/R芯片的高成本、低集成度、低良率、一致性差、装配复杂，以及静电保护能力弱等问题，打开该产品庞大的民用市场。基于云端的模拟IC的智慧EDA工具,实现高效仿真和IP的有效复用改变我国 EDA 产品严重依赖进口的产业发展瓶颈。本项目技术团队在基于SOI的IC设计方面，在多个细分应用领域的设计方案，均达到了国际先进水平，其设计性能也获得了终端用户的高度认可。团队内来自中电13所、55所及中科院系统的多为资深专家，是实现IDM模式的技术保障。

成果亮点

在微波功率器件中，硅基器件如 LDMOS 的极限频率不超过***，更高频率的微波电路需使用 GaAs 和 GaN 工艺。GaAs 目前是市场主流，而相比 GaAs， GaN 具有更高的热导率(是 GaAs 的 3 倍)、更好的化学稳定性(不易被腐蚀)和更强的抗辐射能力。 RF SOI 技术的特点：相对于CMOS工艺：①击穿电压高 • 相对于CMOS截止频率和工作频率高②优良的传输线损耗和匹配网络的Q值 • 卓越的Tx和Rx性能以及数字集成能力。基于 RF SOI 的 T/R 组件集成度高①开关、PA、LNA、移相器和可变增益放大器(VGA)被完全集成在一起②同时具有控制、偏置、内存和电源结合功能，设计简化，材料低成本和简化供应链。

团队介绍

岳瑞峰，清华大学教授博士生导师，集成电路设计、建模与模拟、宽禁带半导体（碳化硅、金刚石）功率器件设计与制造专家。朱伟，清华大学工学博士，主要研究方向——硅基毫米波相控阵收发系统等领域；主导完成过一系列公司和科研院所的重大科研项目。唐杨，清华大学工学博士，主要研究方向——太赫兹微系统集成；具有丰富的在片RF/MW测试、系统级仿真设计和异构封装经验。王燕 CTO，清华大学教授博士生导师，资深微电子领域专家张庆钊项目负责人，中科院微电子所研究员博士张健清合伙人，曾任多家上市公司总裁，国家发展与改革委员会顾问专家刁先生，紫光集团联席总裁，长江存储执行董事长（高级顾问）黄先生，专业教授级高级工程师，国务院特殊津贴 IC设计：国内设计领域资深专家领衔，全部由来自清华的优秀人才组成，近10年合作基础，90%以上为博士研究生。

成果资料

路演文件

产业化落地方案

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成果综合评价报告

评价单位：“科创中国”创业投资专业科技服务团 (北京创业投资协会) 评价时间：2022-10-24

胡宝文

北京中关村软件园孵化服务有限公司

投资管理

综合评价

中国半导体市场需求量大，约占全球半导体市场的 1/3。伴随着经济的快速发展，中国已成为全球半导体需求市场的重要组成部分。尽管新冠疫情对全球经济产生了巨大影响，但半导体市场在2020年仍然表现强劲，市调机构IDC发布的最新报告显示，2020年全球半导体收入达4640亿美元，同比增长10.8％。IDC预测2021年，全球半导体市场将达到5220亿美元。根据IHS Markit预测，2021年全球功率半导体市场规模将增长至441亿美元，其中中国市场预计约159亿美元。

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