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基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法及产品

发布时间: 2022-09-09

来源: 科技服务团

基本信息

合作方式: 技术转让
成果类型: 实用新型专利
行业领域:
新材料技术
成果介绍
本发明属于纳米晶薄膜制备领域,并具体公开了一种基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法及产品。该方法包括下列步骤:(a)制备纳米晶薄膜,将获得的纳米晶薄膜置于原子层沉积装置的反应腔体中,加热;(b)向反应腔体内通入气态硅烷与纳米晶薄膜反应,反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定;(c)向反应腔内通入氧气等离子体,反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定,以此生成氧化硅,该氧化硅包覆在纳米晶薄膜的表面;(d)重复步骤(b)~(c),直至氧化硅的厚度达到预设厚度值。通过本发明,解决纳米晶易受水氧侵蚀,致使其丧失发光性能的问题,具备便于操控、适应性强、成本低和适于大批量生产等优点。
成果亮点
纳米晶又称为量子点,是一种由II-VI族或III-V族元素组成的纳米颗粒。它的粒径一般介于1~10nm之间,由于电子和空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射荧光。量子点的发射光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制,具有带隙可调、宽的激发谱和窄的发射谱等效应,在太阳能电池、发光器件、光学生物标记等领域具有广泛的应用前景。 虽然量子点具有优异的发光性能,但其容易受到水、氧、光和热的侵蚀,造成配体脱落和晶格畸变,使其发光性能下降,稳定性较差;另外,量子点巨大的比表面积很容易导致表面产生缺陷位点(低配位原子,悬断键)而大大延长电子-空穴对的复合时间,降低量子点的发光效率。
团队介绍
华中科技大学(Huazhong University of Science and Technology),简称华中大、华科大 ,位于湖北省武汉市,是中华人民共和国教育部直属的综合性研究型全国重点大学、位列国家“双一流”、“985工程"、"211工程"、入选"强基计划"、"111计划"、卓越工程师教育培养计划、卓越医生教育培养计划、国家大学生创新性实验计划、国家级大学生创新创业训练计划、国家建设高水平大学公派研究生项目、国家级新工科研究与实践项目、基础学科拔尖学生培养计划***,是学位授权自主审核单位、全国深化创新创业教育改革示范高校、一流网络安全学院建设示范项目高校、中国政府奖学金来华留学生接收院校、教育部来华留学示范基地,为中欧工程教育平台成员和医学“双一流”建设联盟、国际应用科技开发协作网、全球能源互联网大学联盟成员。
成果资料