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高端化合物半导体外延晶圆产业化

发布时间: 2022-09-07

来源: 科技服务团

基本信息

合作方式： 技术转让
成果类型： 发明专利
行业领域：
电子信息技术,微电子技术
成果介绍
本项目在前期多年和大量的技术和产业化项目积累的基础上，瞄准化合物半导体外延晶圆核心技术，以IQE为榜样，结合我国实际情况，建立具备自主知识产权的外延晶圆生产链，得到高质量、低缺陷密度的第二代、第三代化合物半导体材料，并在此基础之上生长制备VCSEL、pHEMT、InP近红外探测器、InSb中红外探测器等光电/ 微波器件的外延片和相关芯片，最终为我国5G/6G无线通信、光通信、云计算、大数据以及尖端武器雷达提供国产化核心外延晶圆。
成果亮点
化合物半导体工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成，而每一种方法都有一定的局限性。本项目开发了改进生产方法，亮点如下：大大降低了生长化合物半导体材料时不同反应源在输运到衬底反应之前的预反应，提高了反应源利用效率，提高了生长速率，同时由于预反应小，产生的络合物杂质减小，提高了材料质量，降低高温生长的缺陷密度，表面平整。
团队介绍
我校材料与制造学部拥有工业大数据应用技术国家工程实验室和国家产学研激光技术中心2个国家级科研平台以及12个省部级科研平台，大量科技成果被成功应用于多项国家重点工程或实现产业化。例如"变极性等离子弧穿孔立焊工艺及装备”成功完成天宫一号/二号主结构的焊接制造、多元复合稀 土阴极成功应用于国产大型装置的新型电子源阴极、中高强高耐蚀可焊接5系铝铝合金成功应用于国产大型水面艇体材料以及单晶LaB6空心阴极成功应用于世界首台磁聚焦霍尔推力器等。
成果资料
产业化落地方案
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