成果介绍
本发明属于光电材料应用科技领域,更具体地,涉及一种稠杂环芳烃衍生物、其制备和应用。该类材料是在吩噻嗪氧的氮杂位点桥接苯并杂环,并在苯并杂环的共轭位点进一步修饰以实现化合物的刚性结构的调控和共轭的延长,有效的提高了材料的热稳定性,其在可见光区较高的折射率和较低的消光系数大大提高了器件的光取出效率,是一种优良的覆盖层材料;该稠杂环芳烃衍生物,具有如式(一)所示的结构式:其中,X选自O、S或O=S=O;R1、R2、R3和R4各自独立的选自烷基、由取代基取代或未取代的成环碳数为6?30的芳基、由取代基取代或未取代的成环原子数为3?30的杂芳基和由取代基取代或未取代的三芳胺基。
成果亮点
(1)本发明通过在具有杂原子的稠环结构吩噻嗪氧的氮杂位点上,桥接具有稠和的苯并杂环,并将其作为覆盖层材料覆盖于阴极之上对器件进行修饰,减少OLED器件中的全反射效应,提高器件光取出效率,由此解决现有技术提高光耦合输出效率的方法制备工艺难度大的技术问题。
(2)本发明在苯并杂环的共轭位点进行进一步修饰,尤其是引入电子云密度较大的稠环体系或芳胺体系,延长其线性排列的刚性结构,进一步限制了其在器件热量积累下分子间的结晶化,提高了材料的热稳定性,因此,能够更好的作为覆盖层材料应用至有机电致发光元件中。
(3)本发明提供的稠杂环芳烃衍生物中杂原子不对称的拉电子能力提高了堆积状态下化合物整体的折射率,降低了材料对可见光区的吸收系数,应用至有机电致发光元件中,在很大程度上能避免光在器件内部发生全反射造成的光的损耗,显著提升了有机电致发光元件在外量子效率、发光亮度、光色上的性能,并且,稠合的刚性基团的桥接提高了分子整体的热稳定性,避免了工作中光转化为热造成的热量积累对材料结构的破坏,是一种能够维持器件优良性能表征的覆盖层材料。
团队介绍
王磊:男,博士生导师,华中科技大学武汉光电国家研究中心教授,“万人计划”领军人才,能源光电子功能实验室主任。2000年毕业于河南师范大学化学系,获理学士学位;2005年,武汉大学有化学系获理学博士学位。2005年至2008年,香港浸会大学先进发光材料中心博后。2008年被华中科技大学武汉光电实验室聘为副教授,博士生导师。2014年入选华中学者,武汉市3551人才,2015年被聘为教授,2017年入选湖北省杰青,湖北省双创战略团队负责人。2000年以来,一直专注于有机/无机光电功能材料与器件方面的研究工作,在新型发光材料与器件方面取得了突出的研究成果,尤其在OLED蓝光材料和绿光主体材料达到国际先进水平。近年来先后主持国家自然科学基金项目3项,参与了国家基金李国鼎基金、863计划、973计划、基金委重大仪器专项等多项科研项目。
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