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新材料技术

本发明涉及一种具有数据快速擦写的浮栅极型场效应晶体管存储器及其制造方法，属于存储器技术领域；现有技术中，在提升存储器擦写效果方面大多不是很明显；本发明提供了一种存储器，该存储器用带有氧化硅层的硅片作为衬底，该存储器从所述衬底往上依次是作为浮栅层的少层石墨烯，作为绝缘层的六方氮化硼，作为沟道层的新型二维材料(二硫化铂和二硫化铼)，该存储器还包括在沟道层上利用蒸镀工艺形成的源极和漏极；实现数据的快速写入的同时，同样实现了存储器数据的快速擦除。

鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的之一在于在保证存储器具备高的开关比、长的数据保存时间的同时，大幅度提升存储器的数据擦写速度（以二硫化铂为沟道材料的存储器耗时在100 ns以内,以二硫化铼为沟道材料的存储器耗时在1 us以内）。 为解决上述问题，本发明提出了一种由新型二维材料作为沟道层的浮栅型场效应晶体管存储器，该浮栅型场效应晶体管用带有氧化硅层的硅片作为衬底，通过将各层材料机械剥离并转移的手段依次在衬底上堆垛形成，该存储器的各层材料从衬底往上依次是作为浮栅层的少层石墨烯，作为绝缘层的六方氮化硼，作为沟道层的二维硫族化合物，除此之外还包括在沟道层上利用蒸镀工艺形成的源极和漏极。 上述的沟道层二维材料使用的是新型二硫化合物—二硫化铂或二硫化铼，该材料首先通过气相输运（CVT）的方法获得纯净的单晶，随后在通过机械剥离，将尺寸为毫米级的单晶物理较薄为厚度10 nm以内，长宽尺寸为微米级别的纳米片

华中科技大学，简称华中大，位于湖北省武汉市，是中华人民共和国教育部直属的综合性研究型全国重点大学、位列国家“双一流”、“985工程"、"211工程"、入选"强基计划"、"111计划"、卓越工程师教育培养计划、卓越医生教育培养计划、湖北省2011计划、国家大学生创新性实验计划、国家级大学生创新创业训练计划、国家建设高水平大学公派研究生项目、国家级新工科研究与实践项目、基础学科拔尖学生培养计划***，是学位授权自主审核单位、全国深化创新创业教育改革示范高校、一流网络安全学院建设示范项目高校、中国政府奖学金来华留学生接收院校、教育部来华留学示范基地，为中欧工程教育平台成员和医学“双一流”建设联盟、中国人工智能教育联席会理事单位