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本发明属于半导体存储器领域，具体公开了一种应用于三维闪存的应变硅沟道及其制备方法，其中应用于三维闪存的应变硅沟道由Si原子与Ge原子构成；该应变硅沟道设置在用于构成三维闪存存储器的闪存存储串上，任意一个所述闪存存储串均呈三维堆叠结构垂直设置在衬底上。本发明通过对沟道材料的具体组分及相应沉积工艺等进行改进，可解决现有技术中三维闪存存储器其沟道工艺存在的开态电流低，以及堆叠层数增加面临的驱动及器件均一性等难题，本发明利用应变硅技术进行垂直沟道的制备，可以有效提高沟道载流子迁移率并且弥补沟道掺杂引起的库伦相互作用。

针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明的目的在于提供一种应用于三维闪存的应变硅沟道及其制备方法，其中通过对沟道材料的具体组分及相应沉积工艺等进行改进，可解决现有技术中三维闪存存储器其沟道工艺存在的开态电流低，以及堆叠层数增加面临的驱动及器件均一性等难题，本发明利用应变硅技术进行垂直沟道的制备，可以有效提高沟道载流子迁移率并且弥补沟道掺杂引起的库伦相互作用。本发明通过将SiGe应变硅沟道中Ge原子优选控制为20atom％～40atom％，能够有效增强电子迁移率；例如，当应变硅沟道中Ge含量达到30atom％，电子迁移率可以提升120％。 为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种应用于三维闪存的应变硅沟道，其特征在于，所述应变硅沟道由Si原子与Ge原子构成；该应变硅沟道设置在用于构成三维闪存存储器的闪存存储串上，任意一个所述闪存存储串均呈三维堆叠结构垂直设置在衬底上。

华中科技大学，简称华中大，位于湖北省武汉市，是中华人民共和国教育部直属的综合性研究型全国重点大学、位列国家“双一流”、“985工程"、"211工程"、入选"强基计划"、"111计划"、卓越工程师教育培养计划、卓越医生教育培养计划、湖北省2011计划、国家大学生创新性实验计划、国家级大学生创新创业训练计划、国家建设高水平大学公派研究生项目、国家级新工科研究与实践项目、基础学科拔尖学生培养计划***，是学位授权自主审核单位、全国深化创新创业教育改革示范高校、一流网络安全学院建设示范项目高校、中国政府奖学金来华留学生接收院校、教育部来华留学示范基地，为中欧工程教育平台成员和医学“双一流”建设联盟、中国人工智能教育联席会理事单位