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新材料产业,先进石化化工新材料

本发明公开一种平面型忆阻器及其制备方法，所述忆阻器的结构是衬底的上一种平面结构，包括一端活性电极、一端惰性电极和电极中间的二维原子晶体，其中二维原子晶体为单晶Ⅳ?Ⅵ族半导体，形如MX(M：Ge、Sn、Pb；X：S、Se)，它们为快离子导体，而且具有的独特褶皱层状结构，在受到电场作用时，来自活性电极被氧化的金属阳离子能在二维原子材料层间、空位或界面特殊的通道快速迁移，以实现一种低功耗、循环一致性好、开关比大等性能优异的忆阻器；此外本发明提供的制备方法简单易行，在阻变存储器和需要低功耗的人工突触器件拥有广阔的应用前景，也为忆阻器制备提供了一种新的思路。

金属导电桥型忆阻器具有尺寸可缩减性好、数据保持好、多值存储潜力等优点，是忆阻器中一种重要的类型，这类器件通常由一个容易发生电化学反应的电极、一个惰性电极和电极中间的阻变层(硫族固态电介质、氧化物、有机物等)构成。施加于活性电极的正向电压使金属原子氧化为相应的阳离子，之后在电场作用下阳离子向惰性电极迁移，在惰性电极处被还原成金属原子，金属原子不断堆积并在中间阻变层形成一个导电细丝，同样的施加相反电压导电丝断裂器件回到高阻。金属导电桥型忆阻器也存在着一些问题，比如：其低阻较低导致Reset功耗较高；导电丝形成的位置随机性较高而且难以控制；用于阻变层的非晶具有较多缺陷和杂质等。

华中科技大学，简称华中大，位于湖北省武汉市，是中华人民共和国教育部直属的综合性研究型全国重点大学、位列国家“双一流”、“985工程"、"211工程"、入选"强基计划"、"111计划"、卓越工程师教育培养计划、卓越医生教育培养计划、湖北省2011计划、国家大学生创新性实验计划、国家级大学生创新创业训练计划、国家建设高水平大学公派研究生项目、国家级新工科研究与实践项目、基础学科拔尖学生培养计划***，是学位授权自主审核单位、全国深化创新创业教育改革示范高校、一流网络安全学院建设示范项目高校、中国政府奖学金来华留学生接收院校、教育部来华留学示范基地，为中欧工程教育平台成员和医学“双一流”建设联盟、中国人工智能教育联席会理事单位