科创中国

高新技术改造传统产业,先进制造技术

本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种氮化镓MIS?HEMT钝化设计及其制备方法，其中，钝化结构包括两次叠层的掺硅氧化铪HfSiO材料以及P型CuO。优选的，MIS?HEMT器件采用凹槽栅结构；栅介质采用高介电常数掺硅氧化铪材料；源漏电极制备采用低温无金接触工艺。本发明通过对钝化结构的关键组成、具体构造，配合氮化镓MIS?HEMT器件的栅介质材料进行改进，利用两次叠层高介电常数材料(HfSiO)与低介电常数P型氧化物材料(CuO)构建钝化结构，本发明与现有技术相比能够实现更好的电学性能。

自金属氧化物半导体场效应晶体管问世以来，硅材料盘踞半导体产业主导地位，这主要是由于硅半导体成本低，其表面有高质量的自然氧化层。然而硅的禁带宽度窄，限制了其在功率电子方向的发展，寻找更好性能的半导体材料是发展的必然。氮化镓作为第三代半导体，较传统的硅半导体具有高临界击穿电场(***)，高饱和速度(***×107cm/s)，宽禁带(***)诸多优势。除此之外，氮化镓做功率电子器件时，和AlGaN形成异质结结构，界面处可以产生高迁移率(2×103cm2/V·s)的2DEG沟道。

华中科技大学，简称华中大，位于湖北省武汉市，是中华人民共和国教育部直属的综合性研究型全国重点大学、位列国家“双一流”、“985工程"、"211工程"、入选"强基计划"、"111计划"、卓越工程师教育培养计划、卓越医生教育培养计划、湖北省2011计划、国家大学生创新性实验计划、国家级大学生创新创业训练计划、国家建设高水平大学公派研究生项目、国家级新工科研究与实践项目、基础学科拔尖学生培养计划***，是学位授权自主审核单位、全国深化创新创业教育改革示范高校、一流网络安全学院建设示范项目高校、中国政府奖学金来华留学生接收院校、教育部来华留学示范基地，为中欧工程教育平台成员和医学“双一流”建设联盟、中国人工智能教育联席会理事单位